XP3N5R0AYT
Número de pieza
XP3N5R0AYT
Clasificación del producto
FET individuales, MOSFET
Fabricante
YAGEO XSemi
Descripción
MOSFET N-CH 30V 20A 63.5A PMPAK
Encapsulamiento
Cut Tape (CT)
Embalaje
Número
2600
Estado rohs
NO
Inventario
base.lang_mini : 1
Cantidad
Precio
Precio total
1
$0.92
$0.92
10
$0.6
$6
100
$0.4
$40
500
$0.32
$160
1000
$0.29
$290
Estado de la Pieza
Active
Tipo de Montaje
Surface Mount
Tipo de FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Máx.)
±20V
FET Característica
-
Grado
-
Calificación
-
Temperatura de Operación
-55°C ~ 150°C (TJ)
Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido)
4.5V, 10V
Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss)
30 V
Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs
64 nC @ 10 V
Vgs(umbral) (Máx.) @ Id
2.3V @ 250µA
Rds On (Máx) @ Id, Vgs
5mOhm @ 19A, 10V
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
2800 pF @ 15 V
Paquete / Carcasa
8-PowerDFN
Disipación de Potencia (Máx.)
3.12W (Ta)
Proveedor Dispositivo Paquete
PMPAK® 3 x 3
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C
20A (Ta), 63.5A (Tc)
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