XP4N4R2H
Número de pieza
XP4N4R2H
Clasificación del producto
FET individuales, MOSFET
Fabricante
YAGEO XSemi
Descripción
MOSFET N-CH 40V 75A TO252
Encapsulamiento
Cut Tape (CT)
Embalaje
Número
2590
Estado rohs
NO
Inventario
base.lang_mini : 1
Cantidad
Precio
Precio total
1
$1.88
$1.88
10
$1.26
$12.6
100
$0.85
$85
500
$0.67
$335
1000
$0.61
$610
Estado de la Pieza
Active
Tipo de Montaje
Surface Mount
Tipo de FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Máx.)
±20V
FET Característica
-
Grado
-
Calificación
-
Temperatura de Operación
-55°C ~ 150°C (TJ)
Paquete / Carcasa
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido)
4.5V, 10V
Vgs(umbral) (Máx.) @ Id
3V @ 250µA
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C
75A (Tc)
Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss)
40 V
Proveedor Dispositivo Paquete
TO-252
Rds On (Máx) @ Id, Vgs
4.2mOhm @ 40A, 10V
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
4000 pF @ 20 V
Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs
44.8 nC @ 4.5 V
Disipación de Potencia (Máx.)
2W (Ta), 52W (Tc)
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