XP60AN750IN
Número de pieza
XP60AN750IN
Clasificación del producto
FET individuales, MOSFET
Fabricante
YAGEO XSemi
Descripción
MOSFET N-CH 600V 10A TO220CFM
Encapsulamiento
Tube
Embalaje
Número
2600
Estado rohs
NO
Inventario
base.lang_mini : 1
Cantidad
Precio
Precio total
1
$2.29
$2.29
50
$1.09
$54.5
100
$1.07
$107
500
$0.97
$485
1000
$0.92
$920
2000
$0.87
$1740
5000
$0.84
$4200
Tipo de Montaje
Through Hole
Estado de la Pieza
Active
Tipo de FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido)
10V
Vgs(umbral) (Máx.) @ Id
4V @ 250µA
FET Característica
-
Grado
-
Calificación
-
Temperatura de Operación
-55°C ~ 150°C (TJ)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C
10A (Tc)
Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss)
600 V
Paquete / Carcasa
TO-220-3 Full Pack
Vgs (Máx.)
±30V
Rds On (Máx) @ Id, Vgs
750mOhm @ 5A, 10V
Proveedor Dispositivo Paquete
TO-220CFM
Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs
59.2 nC @ 10 V
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
2688 pF @ 100 V
Disipación de Potencia (Máx.)
1.92W (Ta), 36.7W (Tc)
Los últimos productos
Vishay Siliconix
Vishay Siliconix
Vishay Siliconix
Vishay Siliconix
Vishay Siliconix
Vishay Siliconix
Vishay Siliconix
Vishay Siliconix
szlcwkj@163.com
346959483
18923764396
Escanear código QR móvil