XP65AN1K2IT
Número de pieza
XP65AN1K2IT
Clasificación del producto
FET individuales, MOSFET
Fabricante
YAGEO XSemi
Descripción
MOSFET N-CH 650V 7A TO220CFM
Encapsulamiento
Tube
Embalaje
Número
2589
Estado rohs
NO
Inventario
base.lang_mini : 1
Cantidad
Precio
Precio total
1
$2.35
$2.35
50
$1.28
$64
100
$1.22
$122
500
$0.98
$490
1000
$0.9
$900
2000
$0.83
$1660
5000
$0.79
$3950
Tipo de Montaje
Through Hole
Estado de la Pieza
Active
Tipo de FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido)
10V
Vgs(umbral) (Máx.) @ Id
4V @ 250µA
FET Característica
-
Grado
-
Calificación
-
Temperatura de Operación
-55°C ~ 150°C (TJ)
Paquete / Carcasa
TO-220-3 Full Pack
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C
7A (Tc)
Vgs (Máx.)
±30V
Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss)
650 V
Rds On (Máx) @ Id, Vgs
1.2Ohm @ 3.5A, 10V
Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs
44.8 nC @ 10 V
Proveedor Dispositivo Paquete
TO-220CFM
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
2048 pF @ 100 V
Disipación de Potencia (Máx.)
1.92W (Ta), 34.7W (Tc)
Los últimos productos
Vishay Siliconix
Vishay Siliconix
Vishay Siliconix
Vishay Siliconix
Vishay Siliconix
Vishay Siliconix
Vishay Siliconix
Vishay Siliconix
szlcwkj@163.com
346959483
18923764396
Escanear código QR móvil