XP6NA3R0H
Número de pieza
XP6NA3R0H
Clasificación del producto
FET individuales, MOSFET
Fabricante
YAGEO XSemi
Descripción
MOSFET N-CH 60V 75A TO252
Encapsulamiento
Cut Tape (CT)
Embalaje
Número
2570
Estado rohs
NO
Inventario
base.lang_mini : 1
Cantidad
Precio
Precio total
1
$2.17
$2.17
10
$1.66
$16.6
100
$1.13
$113
500
$0.9
$450
1000
$0.88
$880
Estado de la Pieza
Active
Tipo de Montaje
Surface Mount
Tipo de FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido)
10V
Vgs(umbral) (Máx.) @ Id
4V @ 250µA
Vgs (Máx.)
±20V
FET Característica
-
Grado
-
Calificación
-
Temperatura de Operación
-55°C ~ 150°C (TJ)
Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss)
60 V
Paquete / Carcasa
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C
75A (Tc)
Proveedor Dispositivo Paquete
TO-252
Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs
112 nC @ 10 V
Rds On (Máx) @ Id, Vgs
3mOhm @ 40A, 10V
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
6520 pF @ 50 V
Disipación de Potencia (Máx.)
2W (Ta), 83.3W (Tc)
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