XP83T03GJB
Número de pieza
XP83T03GJB
Clasificación del producto
FET individuales, MOSFET
Fabricante
YAGEO XSemi
Descripción
MOSFET N-CH 30V 75A TO251S
Encapsulamiento
Tube
Embalaje
Número
1600
Estado rohs
NO
Inventario
base.lang_mini : 4000
Cantidad
Precio
Precio total
4000
$0.4
$1600
Tipo de Montaje
Through Hole
Estado de la Pieza
Last Time Buy
Tipo de FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Máx.)
±20V
FET Característica
-
Temperatura de Operación
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
-
Calificación
-
Disipación de Potencia (Máx.)
60W (Tc)
Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido)
4.5V, 10V
Vgs(umbral) (Máx.) @ Id
3V @ 250µA
Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss)
30 V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C
75A (Tc)
Rds On (Máx) @ Id, Vgs
6mOhm @ 40A, 10V
Paquete / Carcasa
TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA
Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs
34 nC @ 4.5 V
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
1840 pF @ 25 V
Proveedor Dispositivo Paquete
TO-251S
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