IRF510
Numéro de pièce
IRF510
Classification des produits
FET simples, MOSFET
Fabricant
Vishay Siliconix
Description
MOSFET N-CH 100V 5.6A TO220AB
Encapsulation
Tube
Emballage
Quantité
1600
Statut RoHS
NO
En stock
base.lang_mini : 0
Quantité
Prix
Prix total
Statut de la pièce
Obsolete
Type de montage
Through Hole
Type de FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension Drain-Source (Vdss)
100 V
Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C
5.6A (Tc)
Tension de commande (Rds On max, Rds On min)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
540mOhm @ 3.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs
8.3 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
180 pF @ 25 V
FET Caractéristique
-
Dissipation de puissance (Max)
43W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Fournisseur Dispositif Emballage
TO-220AB
Boîtier
TO-220-3
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