IRFD9113
Numéro de pièce
IRFD9113
Classification des produits
FET simples, MOSFET
Fabricant
Vishay Siliconix
Description
MOSFET P-CH 60V 600MA 4DIP
Encapsulation
Tube
Emballage
Quantité
1600
Statut RoHS
NO
PDF：
En stock
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Quantité
Prix
Prix total
Statut de la pièce
Obsolete
Type de montage
Through Hole
Température de fonctionnement
-
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
FET Caractéristique
-
Grade
-
Qualification
-
Type de FET
P-Channel
Fournisseur Dispositif Emballage
4-HVMDIP
Boîtier
4-DIP (0.300", 7.62mm)
Tension Drain-Source (Vdss)
60 V
Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C
600mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.6Ohm @ 300mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
-
Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs
15 nC @ 15 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
250 pF @ 25 V
Dissipation de puissance (Max)
-
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