IRFD210
Numéro de pièce
IRFD210
Classification des produits
FET simples, MOSFET
Fabricant
Vishay Siliconix
Description
MOSFET N-CH 200V 600MA 4DIP
Encapsulation
Tube
Emballage
Quantité
1600
Statut RoHS
NO
En stock
base.lang_mini : 0
Quantité
Prix
Prix total
Statut de la pièce
Obsolete
Type de montage
Through Hole
Type de FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de commande (Rds On max, Rds On min)
10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Vgs (Max)
±20V
FET Caractéristique
-
Grade
-
Qualification
-
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tension Drain-Source (Vdss)
200 V
Dissipation de puissance (Max)
1W (Ta)
Fournisseur Dispositif Emballage
4-HVMDIP
Boîtier
4-DIP (0.300", 7.62mm)
Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C
600mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.5Ohm @ 360mA, 10V
Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs
8.2 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
140 pF @ 25 V
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