IRF7106
Numéro de pièce
IRF7106
Classification des produits
Matrices FET, MOSFET
Fabricant
Infineon Technologies
Description
MOSFET N/P-CH 20V 3A/2.5A 8SO
Encapsulation
Tube
Emballage
Quantité
1600
Statut RoHS
NO
PDF：
En stock
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Quantité
Prix
Prix total
Statut de la pièce
Obsolete
Type de montage
Surface Mount
Boîtier
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Fournisseur Dispositif Emballage
8-SO
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
FET Caractéristique
-
Configuration
N and P-Channel
Tension Drain-Source (Vdss)
20V
Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C
3A, 2.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
125mOhm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs
25nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
300pF @ 15V
Puissance - Max
2W
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