NDM3000
Numéro de pièce
NDM3000
Classification des produits
Matrices FET, MOSFET
Fabricant
onsemi
Description
MOSFET 3N/3P-CH 30V 3A 16SOIC
Encapsulation
Tape & Reel (TR)
Emballage
Quantité
1600
Statut RoHS
NO
En stock
base.lang_mini : 0
Quantité
Prix
Prix total
Statut de la pièce
Obsolete
Type de montage
Surface Mount
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Fournisseur Dispositif Emballage
16-SOIC
Boîtier
16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs
25nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
FET Caractéristique
Logic Level Gate
Configuration
3 N and 3 P-Channel (3-Phase Bridge)
Tension Drain-Source (Vdss)
30V
Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C
3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
90mOhm @ 3A, 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
375pF @ 10V, 360pF @ 10V
Puissance - Max
1.4W
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