NDS8926
Numéro de pièce
NDS8926
Classification des produits
Matrices FET, MOSFET
Fabricant
onsemi
Description
MOSFET 2N-CH 20V 5.5A 8SOIC
Encapsulation
Tape & Reel (TR)
Emballage
Quantité
1600
Statut RoHS
NO
En stock
base.lang_mini : 0
Quantité
Prix
Prix total
Statut de la pièce
Obsolete
Type de montage
Surface Mount
Boîtier
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Fournisseur Dispositif Emballage
8-SOIC
Tension Drain-Source (Vdss)
20V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Configuration
2 N-Channel (Dual)
FET Caractéristique
Logic Level Gate
Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C
5.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
35mOhm @ 5.5A, 4.5V
Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs
30nC @ 4.5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
760pF @ 10V
Puissance - Max
900mW
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