テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
コンフィギュレーション
2 N-Channel (Dual)
パッケージ / ケース
8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
6A (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id
2.6V @ 1mA
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds
490pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
37mOhm @ 6A, 10V
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs
9.1nC @ 10V
FETフィーチャー
Logic Level Gate, 4V Drive