G33N03D3
部品番号：
G33N03D3
製品分類：
FET、MOSFETアレイ
製造元：
Goford Semiconductor
説明：
MOSFET 2N-CH 30V 28A 8DFN
カプセル化
Cut Tape (CT)
包装：
数量：
8728
RoHS状態：
NO
在庫
base.lang_mini : 1
数量
価格
合計価格
1
$1.31
$1.31
10
$0.82
$8.2
100
$0.54
$54
500
$0.42
$210
1000
$0.38
$380
2000
$0.35
$700
部品ステータス
Active
実装タイプ
Surface Mount
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
FETフィーチャー
-
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
28A (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
コンフィギュレーション
2 N-Channel (Dual)
ドレイン-ソース間電圧 (Vdss)
30V
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs
15nC @ 10V
サプライヤーデバイスパッケージ
8-DFN (3x3)
パッケージ / ケース
8-PowerVDFN
Rds On (Max) @ Id, Vgs
11mOhm @ 16A, 10V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds
837pF @ 15V
パワー - 最大
13W (Tc)
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