コンフィギュレーション
2 N-Channel (Half Bridge)
テクノロジー
Silicon Carbide (SiC)
ドレイン-ソース間電圧 (Vdss)
1700V (1.7kV)
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
425A (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 160mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.45mOhm @ 425A, 20V
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs
1207nC @ 18V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds
29100pF @ 900V