コンフィギュレーション
2 N-Channel (Half Bridge)
テクノロジー
Silicon Carbide (SiC)
ドレイン-ソース間電圧 (Vdss)
1700V (1.7kV)
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 160mA
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
765A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.23mOhm @ 765A, 20V
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs
2414nC @ 18V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds
58000pF @ 900V