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製品センター
ディスクリート半導体製品
トランジスタ
FET、MOSFET
FET、MOSFETアレイ
GE17140CEA3
部品番号:
GE17140CEA3
製品分類:
FET、MOSFETアレイ
製造元:
GE Aerospace
説明:
SIC 2N-CH 1700V 1275A MODULE
カプセル化
Bulk
包装:
数量:
1605
RoHS状態:
NO
共有:
PDF:
引き合い
在庫
base.lang_mini : 1
数量
価格
合計価格
1
$11495
$11495
製品パラメータ
部品ステータス
Active
実装タイプ
Chassis Mount
FETフィーチャー
-
動作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
認定
AEC-Q101
パッケージ / ケース
Module
サプライヤーデバイスパッケージ
Module
Rds On (Max) @ Id, Vgs
-
コンフィギュレーション
2 N-Channel (Half Bridge)
テクノロジー
Silicon Carbide (SiC)
ドレイン-ソース間電圧 (Vdss)
1700V (1.7kV)
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 480mA
パワー - 最大
3.75kW
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
1.275kA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs
3621nC @ 18V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds
82nF @ 600V
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