18923764396
szlcwkj@163.com
Japanese
中文
English
Japanese
Russian
French
Arabic
Korean
Spanish
Kazakh
トップページ
製品分類
ブランド
引き合い
ニュース
私たちについて
私たちについて
連絡先
お問い合わせ
企業文化
企業文化
トップページ
製品分類
ブランド
引き合い
ニュース
私たちについて
連絡先
企業文化
中文
English
Japanese
Russian
French
Arabic
Korean
Spanish
Kazakh
トップページ
製品センター
ディスクリート半導体製品
トランジスタ
FET、MOSFET
FET、MOSFETアレイ
RMD0A8P20ES9
部品番号:
RMD0A8P20ES9
製品分類:
FET、MOSFETアレイ
製造元:
Rectron USA
説明:
MOSFET 2P-CH 20V 0.8A SOT363-6L
カプセル化
Tape & Reel (TR)
包装:
数量:
19600
RoHS状態:
NO
共有:
PDF:
引き合い
在庫
base.lang_mini : 3000
数量
価格
合計価格
3000
$0.1
$300
製品パラメータ
部品ステータス
Active
実装タイプ
Surface Mount
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
FETフィーチャー
-
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
800mA (Ta)
ドレイン-ソース間電圧 (Vdss)
20V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
コンフィギュレーション
2 P-Channel (Dual)
パッケージ / ケース
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds
87pF @ 10V
パワー - 最大
800mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.2Ohm @ 500mA, 4.5V
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs
0.0018C @ 4.5V
サプライヤーデバイスパッケージ
SOT-363-6L
最新製品
Infineon Technologies
IRF7106
MOSFET N/P-CH 20V 3A/2.5A 8SO
詳細
Infineon Technologies
IRF7102
MOSFET 2N-CH 50V 2A 8SO
詳細
Diodes Incorporated
ZDM4206NTA
MOSFET 2N-CH 60V 1A SM8
詳細
onsemi
NDC7002N
MOSFET 2N-CH 50V 0.51A SSOT6
詳細
onsemi
NDC7003P
MOSFET 2P-CH 60V 0.34A SSOT6
詳細
onsemi
NDC7001C
MOSFET N/P-CH 60V 0.51A SSOT6
詳細
onsemi
NDM3000
MOSFET 3N/3P-CH 30V 3A 16SOIC
詳細
onsemi
NDS8926
MOSFET 2N-CH 20V 5.5A 8SOIC
詳細
szlcwkj@163.com
346959483
18923764396