TPD3215M
部品番号：
TPD3215M
製品分類：
FET、MOSFETアレイ
製造元：
Transphorm
説明：
MOSFET 2N-CH 600V 70A MODULE
カプセル化
Bulk
包装：
数量：
1600
RoHS状態：
NO
PDF：
在庫
base.lang_mini : 0
数量
価格
合計価格
部品ステータス
Obsolete
実装タイプ
Through Hole
FETフィーチャー
-
Vgs(th) (Max) @ Id
-
パッケージ / ケース
Module
動作温度
-40°C ~ 150°C (TJ)
サプライヤーデバイスパッケージ
Module
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
70A (Tc)
ドレイン-ソース間電圧 (Vdss)
600V
コンフィギュレーション
2 N-Channel (Half Bridge)
テクノロジー
GaNFET (Gallium Nitride)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
34mOhm @ 30A, 8V
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs
28nC @ 8V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds
2260pF @ 100V
パワー - 最大
470W
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