コンフィギュレーション
2 N-Channel (Half Bridge)
テクノロジー
GaNFET (Gallium Nitride)
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
9A (Tj)
サプライヤーデバイスパッケージ
14-PQFN (6x8)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
250mOhm @ 2A, 6V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.75V @ 10mA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs
1.9nC @ 6V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds
53.5pF @ 400V