テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
コンフィギュレーション
N and P-Channel
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs
4.5nC @ 4.5V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
3.3A (Ta), 2.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
72mOhm @ 3A, 10V, 150mOhm @ 2A, 10V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds
320pF @ 15V, 260pF @ 15V