GE12047BCA3
Número de pieza
GE12047BCA3
Clasificación del producto
Matrices FET, MOSFET
Fabricante
GE Aerospace
Descripción
MOSFET 2N-CH 1200V 475A
Encapsulamiento
Box
Embalaje
Número
1601
Estado rohs
NO
Inventario
base.lang_mini : 1
Cantidad
Precio
Precio total
1
$2359.5
$2359.5
Estado de la Pieza
Active
Tipo de Montaje
Chassis Mount
FET Característica
-
Temperatura de Operación
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
-
Calificación
AEC-Q101
Paquete / Carcasa
Module
Configuración
2 N-Channel (Dual)
Proveedor Dispositivo Paquete
Module
Potencia - Máx
1250W
Tecnología
Silicon Carbide (SiC)
Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss)
1200V (1.2kV)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C
475A
Rds On (Máx) @ Id, Vgs
4.4mOhm @ 475A, 20V
Vgs(umbral) (Máx.) @ Id
4.5V @ 160mA
Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs
1248nC @ 18V
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
29300pF @ 600V
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