GE12160CEA3
Número de pieza
GE12160CEA3
Clasificación del producto
Matrices FET, MOSFET
Fabricante
GE Aerospace
Descripción
MOSFET 2N-CH 1200V 1.425KA MODUL
Encapsulamiento
Bulk
Embalaje
Número
1612
Estado rohs
NO
Inventario
base.lang_mini : 1
Cantidad
Precio
Precio total
1
$9678.9
$9678.9
Estado de la Pieza
Active
Tipo de Montaje
Chassis Mount
FET Característica
-
Temperatura de Operación
-55°C ~ 175°C (TJ)
Calificación
AEC-Q101
Paquete / Carcasa
Module
Proveedor Dispositivo Paquete
Module
Configuración
2 N-Channel (Half Bridge)
Tecnología
Silicon Carbide (SiC)
Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss)
1200V (1.2kV)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C
1.425kA (Tc)
Rds On (Máx) @ Id, Vgs
1.5mOhm @ 475A, 20V
Vgs(umbral) (Máx.) @ Id
4.5V @ 480mA
Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs
3744nC @ 18V
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
90000pF @ 600V
Potencia - Máx
3.75kW
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