GE17042CCA3
Número de pieza
GE17042CCA3
Clasificación del producto
Matrices FET, MOSFET
Fabricante
GE Aerospace
Descripción
MOSFET 2N-CH 1700V 425A MODULE
Encapsulamiento
Bulk
Embalaje
Número
1612
Estado rohs
NO
Inventario
base.lang_mini : 1
Cantidad
Precio
Precio total
1
$2964.5
$2964.5
Estado de la Pieza
Active
Tipo de Montaje
Chassis Mount
FET Característica
-
Temperatura de Operación
-55°C ~ 175°C (TJ)
Calificación
AEC-Q101
Paquete / Carcasa
Module
Proveedor Dispositivo Paquete
Module
Configuración
2 N-Channel (Half Bridge)
Potencia - Máx
1250W
Tecnología
Silicon Carbide (SiC)
Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss)
1700V (1.7kV)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C
425A (Tc)
Vgs(umbral) (Máx.) @ Id
4.5V @ 160mA
Rds On (Máx) @ Id, Vgs
4.45mOhm @ 425A, 20V
Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs
1207nC @ 18V
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
29100pF @ 900V
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