GE17080CDA3
Número de pieza
GE17080CDA3
Clasificación del producto
Matrices FET, MOSFET
Fabricante
GE Aerospace
Descripción
MOSFET 2N-CH 1700V 765A MODULE
Encapsulamiento
Bulk
Embalaje
Número
1605
Estado rohs
NO
Inventario
base.lang_mini : 1
Cantidad
Precio
Precio total
1
$5929
$5929
Estado de la Pieza
Active
Tipo de Montaje
Chassis Mount
FET Característica
-
Temperatura de Operación
-55°C ~ 175°C (TJ)
Calificación
AEC-Q101
Paquete / Carcasa
Module
Proveedor Dispositivo Paquete
Module
Configuración
2 N-Channel (Half Bridge)
Tecnología
Silicon Carbide (SiC)
Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss)
1700V (1.7kV)
Vgs(umbral) (Máx.) @ Id
4.5V @ 160mA
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C
765A
Rds On (Máx) @ Id, Vgs
2.23mOhm @ 765A, 20V
Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs
2414nC @ 18V
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
58000pF @ 900V
Potencia - Máx
2350W
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