LN60A01EP-LF
Número de pieza
LN60A01EP-LF
Clasificación del producto
Matrices FET, MOSFET
Fabricante
Monolithic Power Systems Inc.
Descripción
MOSFET 3N-CH 600V 0.08A 8DIP
Encapsulamiento
Tube
Embalaje
Número
1600
Estado rohs
NO
PDF：
Inventario
base.lang_mini : 0
Cantidad
Precio
Precio total
Tipo de Montaje
Through Hole
Estado de la Pieza
Active
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
FET Característica
-
Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs
-
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
-
Vgs(umbral) (Máx.) @ Id
1.2V @ 250µA
Potencia - Máx
1.3W
Paquete / Carcasa
8-DIP (0.300", 7.62mm), 7 Leads
Temperatura de Operación
-20°C ~ 125°C (TJ)
Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss)
600V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C
80mA
Proveedor Dispositivo Paquete
8-PDIP-7B
Configuración
3 N-Channel, Common Gate
Rds On (Máx) @ Id, Vgs
190Ohm @ 10mA, 10V
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