TPC8207(TE12L)
Número de pieza
TPC8207(TE12L)
Clasificación del producto
Matrices FET, MOSFET
Fabricante
Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción
MOSFET 2N-CH 20V 6A 8SOP
Encapsulamiento
Cut Tape (CT)
Embalaje
Número
1600
Estado rohs
NO
Inventario
base.lang_mini : 0
Cantidad
Precio
Precio total
Estado de la Pieza
Obsolete
Tipo de Montaje
Surface Mount
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss)
20V
Configuración
2 N-Channel (Dual)
FET Característica
Logic Level Gate
Potencia - Máx
750mW
Paquete / Carcasa
8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
Proveedor Dispositivo Paquete
8-SOP (5.5x6.0)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C
6A
Rds On (Máx) @ Id, Vgs
20mOhm @ 4.8A, 4V
Vgs(umbral) (Máx.) @ Id
1.2V @ 200µA
Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs
22nC @ 5V
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
2010pF @ 10V
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