TPD3215M
Número de pieza
TPD3215M
Clasificación del producto
Matrices FET, MOSFET
Fabricante
Transphorm
Descripción
MOSFET 2N-CH 600V 70A MODULE
Encapsulamiento
Bulk
Embalaje
Número
1600
Estado rohs
NO
PDF：
Inventario
base.lang_mini : 0
Cantidad
Precio
Precio total
Estado de la Pieza
Obsolete
Tipo de Montaje
Through Hole
FET Característica
-
Vgs(umbral) (Máx.) @ Id
-
Paquete / Carcasa
Module
Temperatura de Operación
-40°C ~ 150°C (TJ)
Proveedor Dispositivo Paquete
Module
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C
70A (Tc)
Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss)
600V
Configuración
2 N-Channel (Half Bridge)
Tecnología
GaNFET (Gallium Nitride)
Rds On (Máx) @ Id, Vgs
34mOhm @ 30A, 8V
Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs
28nC @ 8V
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
2260pF @ 100V
Potencia - Máx
470W
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