2301
Numéro de pièce
2301
Classification des produits
FET simples, MOSFET
Fabricant
Goford Semiconductor
Description
P20V,RD(MAX)<56M@-4.5V,RD(MAX)<8
Encapsulation
Cut Tape (CT)
Emballage
Quantité
3886
Statut RoHS
NO
En stock
base.lang_mini : 1
Quantité
Prix
Prix total
1
$0.36
$0.36
10
$0.22
$2.2
100
$0.14
$14
500
$0.1
$50
1000
$0.09
$90
Statut de la pièce
Active
Type de montage
Surface Mount
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
FET Caractéristique
-
Grade
-
Qualification
-
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Boîtier
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Fournisseur Dispositif Emballage
SOT-23-3
Type de FET
P-Channel
Tension Drain-Source (Vdss)
20 V
Vgs (Max)
±12V
Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C
3A (Tc)
Tension de commande (Rds On max, Rds On min)
2.5V, 4.5V
Dissipation de puissance (Max)
1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id
900mV @ 250µA
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
640 pF @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
56mOhm @ 1.7A, 4.5V
Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs
8.5 nC @ 2.5 V
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