2301H
Numéro de pièce
2301H
Classification des produits
FET simples, MOSFET
Fabricant
Goford Semiconductor
Description
P30V,RD(MAX)<130M@-4.5V,RD(MAX)<
Encapsulation
Cut Tape (CT)
Emballage
Quantité
4351
Statut RoHS
NO
En stock
base.lang_mini : 1
Quantité
Prix
Prix total
1
$0.29
$0.29
10
$0.17
$1.7
100
$0.11
$11
500
$0.08
$40
1000
$0.07
$70
Statut de la pièce
Active
Type de montage
Surface Mount
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)
±20V
FET Caractéristique
-
Grade
-
Qualification
-
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Boîtier
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Fournisseur Dispositif Emballage
SOT-23-3
Type de FET
P-Channel
Tension de commande (Rds On max, Rds On min)
4.5V, 10V
Tension Drain-Source (Vdss)
30 V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.4V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs
75mOhm @ 3A, 10V
Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C
2.8A (Tc)
Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs
4.5 nC @ 2.5 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
366 pF @ 15 V
Dissipation de puissance (Max)
890mW (Tc)
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