25P06
Numéro de pièce
25P06
Classification des produits
FET simples, MOSFET
Fabricant
Goford Semiconductor
Description
P60V,RD(MAX)<45M@-10V,VTH2V~3V T
Encapsulation
Cut Tape (CT)
Emballage
Quantité
5116
Statut RoHS
NO
En stock
base.lang_mini : 1
Quantité
Prix
Prix total
1
$1.51
$1.51
10
$0.95
$9.5
100
$0.63
$63
500
$0.49
$245
1000
$0.45
$450
Statut de la pièce
Active
Type de montage
Surface Mount
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de commande (Rds On max, Rds On min)
10V
Vgs (Max)
±20V
FET Caractéristique
-
Grade
-
Qualification
-
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de FET
P-Channel
Tension Drain-Source (Vdss)
60 V
Boîtier
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C
25A (Tc)
Dissipation de puissance (Max)
100W (Tc)
Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs
37 nC @ 10 V
Fournisseur Dispositif Emballage
TO-252
Rds On (Max) @ Id, Vgs
32mOhm @ 12A, 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
2527 pF @ 30 V
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