2SJ606-ZK-E1-AY
Référence :
2SJ606-ZK-E1-AY
Catégorie :
-
Fabricant :
Description :
P-CHANNEL SWITCHING POWER MOSFET
Boîtier :
Conditionnement :
Bulk
Quantité :
750
Statut RoHS :
Pris en charge
PDF :
Stock
Quantité min. : 104
Qté
Prix
Total
104+
$3.18
$330.72
Statut de la pièce
Active
Type de montage
Surface Mount
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de commande (Rds On max, Rds On min)
10V
Vgs (Max)
±20V
FET Caractéristique
-
Grade
-
Qualification
-
Type de FET
P-Channel
Tension Drain-Source (Vdss)
60 V
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 1mA
Boîtier
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs
120 nC @ 10 V
Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C
83A
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
4800 pF @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
15mOhm @ 42A, 10V
Dissipation de puissance (Max)
120W
Fournisseur Dispositif Emballage
TO-220SMD
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