AC2M1000170D
Numéro de pièce
AC2M1000170D
Classification des produits
FET simples, MOSFET
Fabricant
APSEMI
Description
SIC MOSFET N-CH 1700V 6A TO247-3
Encapsulation
Tube
Emballage
Quantité
1878
Statut RoHS
NO
En stock
base.lang_mini : 1
Quantité
Prix
Prix total
1
$3.28
$3.28
11
$3.06
$33.66
51
$2.73
$139.23
101
$1.97
$198.97
501
$1.64
$821.64
Type de montage
Through Hole
Statut de la pièce
Active
Type de FET
N-Channel
Grade
-
Qualification
-
Boîtier
TO-247-3
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C
Dissipation de puissance (Max)
68W (Tc)
Fournisseur Dispositif Emballage
TO-247-3
Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C
6A
Tension de commande (Rds On max, Rds On min)
20V
Technologie
SiCFET (Silicon Carbide)
Tension Drain-Source (Vdss)
1700 V
Vgs (Max)
+25V, -10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.4Ohm @ 2A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 0.5mA
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