AC3M0032120D
Numéro de pièce
AC3M0032120D
Classification des produits
FET simples, MOSFET
Fabricant
APSEMI
Description
SIC MOSFET N-CH 1200V 64A TO247-
Encapsulation
Tube
Emballage
Quantité
6600
Statut RoHS
NO
En stock
base.lang_mini : 1
Quantité
Prix
Prix total
1
$9.85
$9.85
11
$9.19
$101.09
51
$8.2
$418.2
101
$5.91
$596.91
501
$4.92
$2464.92
Type de montage
Through Hole
Statut de la pièce
Active
Type de FET
N-Channel
Grade
-
Qualification
-
Boîtier
TO-247-3
Température de fonctionnement
-40°C ~ 175°C (TJ)
Fournisseur Dispositif Emballage
TO-247-3
Tension Drain-Source (Vdss)
1200 V
Tension de commande (Rds On max, Rds On min)
15V
Technologie
SiCFET (Silicon Carbide)
Dissipation de puissance (Max)
288W (Tc)
Vgs (Max)
+19V, -8V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.6V @ 11.5mA
Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C
64A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
45mOhm @ 40A, 15V
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