AC3M0120065K
Numéro de pièce
AC3M0120065K
Classification des produits
FET simples, MOSFET
Fabricant
APSEMI
Description
SIC MOSFET N-CH 650V 23A TO247-4
Encapsulation
Tube
Emballage
Quantité
1900
Statut RoHS
NO
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En stock
base.lang_mini : 1
Quantité
Prix
Prix total
1
$5.47
$5.47
11
$5.11
$56.21
51
$4.56
$232.56
101
$3.28
$331.28
501
$2.73
$1367.73
Type de montage
Through Hole
Statut de la pièce
Active
Type de FET
N-Channel
Grade
-
Qualification
-
Tension Drain-Source (Vdss)
650 V
Température de fonctionnement
-40°C ~ 175°C (TJ)
Dissipation de puissance (Max)
97W (Tc)
Boîtier
TO-247-4
Tension de commande (Rds On max, Rds On min)
15V
Technologie
SiCFET (Silicon Carbide)
Fournisseur Dispositif Emballage
TO-247-4
Vgs (Max)
+19V, -8V
Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C
23A
Vgs(th) (Max) @ Id
3.6V @ 1.86mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs
160mOhm @ 6.76A, 15V
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