ALD1101APAL
Numéro de pièce
ALD1101APAL
Classification des produits
Matrices FET, MOSFET
Fabricant
Advanced Linear Devices Inc.
Description
MOSFET 2N-CH 10.6V 8PDIP
Encapsulation
Tube
Emballage
Quantité
1600
Statut RoHS
NO
En stock
base.lang_mini : 50
Quantité
Prix
Prix total
50
$8.56
$428
Type de montage
Through Hole
Boîtier
8-DIP (0.300", 7.62mm)
Statut de la pièce
Active
Fournisseur Dispositif Emballage
8-PDIP
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
FET Caractéristique
-
Température de fonctionnement
0°C ~ 70°C (TJ)
Puissance - Max
500mW
Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs
-
Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C
-
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
10pF @ 5V
Configuration
2 N-Channel (Dual) Matched Pair
Tension Drain-Source (Vdss)
10.6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
75Ohm @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 10µA
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