AS1M080120P
Numéro de pièce
AS1M080120P
Classification des produits
FET simples, MOSFET
Fabricant
ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
Description
N-CHANNEL SILICON CARBIDE POWER
Encapsulation
Tube
Emballage
Quantité
1604
Statut RoHS
NO
PDF：
En stock
base.lang_mini : 1
Quantité
Prix
Prix total
1
$14.81
$14.81
30
$8.99
$269.7
120
$7.71
$925.2
510
$7.46
$3804.6
Type de montage
Through Hole
Statut de la pièce
Active
Type de FET
N-Channel
FET Caractéristique
-
Grade
-
Qualification
-
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Boîtier
TO-247-3
Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C
36A (Tc)
Fournisseur Dispositif Emballage
TO-247-3
Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs
79 nC @ 20 V
Tension Drain-Source (Vdss)
1200 V
Dissipation de puissance (Max)
192W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 5mA
Tension de commande (Rds On max, Rds On min)
20V
Technologie
SiCFET (Silicon Carbide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
98mOhm @ 20A, 20V
Vgs (Max)
+25V, -10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
1475 pF @ 1000 V
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