AS2312

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AS2312

Numéro de pièce

AS2312

Classification des produits

FET simples, MOSFET

Fabricant

ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED

Description

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE

Encapsulation

Cut Tape (CT)

Emballage

Quantité

12057

Statut RoHS

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En stock

base.lang_mini : 1

Quantité

Prix

Prix total

$0.25

$0.16

$1.6

100

$0.1

$10

500

$0.07

$35

1000

$0.06

$60

Paramètres du produit

Statut de la pièce

Active

Type de montage

Surface Mount

Type de FET

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

FET Caractéristique

Grade

Qualification

Boîtier

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Température de fonctionnement

150°C (TJ)

Vgs (Max)

±10V

Vgs(th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Tension Drain-Source (Vdss)

20 V

Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C

6.8A (Ta)

Dissipation de puissance (Max)

1.2W (Ta)

Fournisseur Dispositif Emballage

SOT-23

Tension de commande (Rds On max, Rds On min)

1.8V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

18mOhm @ 6.8A, 4.5V

Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs

11.05 nC @ 4.5 V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

888 pF @ 10 V

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