AS2M040120P
Numéro de pièce
AS2M040120P
Classification des produits
FET simples, MOSFET
Fabricant
ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
Description
N-CHANNEL SILICON CARBIDE POWER
Encapsulation
Bulk
Emballage
Quantité
1650
Statut RoHS
NO
PDF：
En stock
base.lang_mini : 1
Quantité
Prix
Prix total
1
$24.96
$24.96
30
$15.86
$475.8
120
$14.6
$1752
Type de montage
Through Hole
Statut de la pièce
Active
Type de FET
N-Channel
FET Caractéristique
-
Grade
-
Qualification
-
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Boîtier
TO-247-3
Fournisseur Dispositif Emballage
TO-247-3
Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C
60A (Tc)
Tension Drain-Source (Vdss)
1200 V
Dissipation de puissance (Max)
330W (Tc)
Tension de commande (Rds On max, Rds On min)
20V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 10mA
Technologie
SiCFET (Silicon Carbide)
Vgs (Max)
+25V, -10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
55mOhm @ 40A, 20V
Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs
142 nC @ 20 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
2946 pF @ 1000 V
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