AS3400

Accueil Centre de produits Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET simples, MOSFET

AS3400

Numéro de pièce

AS3400

Classification des produits

FET simples, MOSFET

Fabricant

ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED

Description

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE

Encapsulation

Cut Tape (CT)

Emballage

Quantité

6999

Statut RoHS

Partagez

PDF：

Demande de prix

En stock

base.lang_mini : 1

Quantité

Prix

Prix total

$0.25

$0.16

$1.6

100

$0.1

$10

500

$0.07

$35

1000

$0.06

$60

Paramètres du produit

Statut de la pièce

Active

Type de montage

Surface Mount

Type de FET

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

FET Caractéristique

Grade

Qualification

Boîtier

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Température de fonctionnement

150°C (TJ)

Vgs(th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Tension Drain-Source (Vdss)

30 V

Tension de commande (Rds On max, Rds On min)

2.5V, 10V

Vgs (Max)

±12V

Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C

5.6A (Ta)

Dissipation de puissance (Max)

1.2W (Ta)

Fournisseur Dispositif Emballage

SOT-23

Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs

4.8 nC @ 4.5 V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

535 pF @ 15 V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

27mOhm @ 5.6A, 10V

Les derniers produits

Vishay Siliconix

IRF510

MOSFET N-CH 100V 5.6A TO220AB

Vishay Siliconix

IRF9510

MOSFET P-CH 100V 4A TO220AB

Vishay Siliconix

IRFD9220

MOSFET P-CH 200V 560MA 4DIP

Vishay Siliconix

IRF840

MOSFET N-CH 500V 8A TO220AB

Vishay Siliconix

IRFD110

MOSFET N-CH 100V 1A 4DIP

Vishay Siliconix

IRFD9113

MOSFET P-CH 60V 600MA 4DIP

Vishay Siliconix

IRFD210

MOSFET N-CH 200V 600MA 4DIP

Vishay Siliconix

IRFD9110

MOSFET P-CH 100V 700MA 4DIP

szlcwkj@163.com

346959483

18923764396

Shenzhen hengyifa Electronic Co., Ltd

Adresse:Salle 315, 3 étages, bâtiment 2, complexe Huakang, route de revitalisation de la communauté Air China, 109, rue huaqiangbei, district de Futian, Shenzhen

Numéro de téléphone:18923764396 Boîte aux lettres：szlcwkj@163.com

Scanner le code QR mobile