BSS123
Numéro de pièce
BSS123
Classification des produits
FET simples, MOSFET
Fabricant
ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
Description
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE
Encapsulation
Cut Tape (CT)
Emballage
Quantité
37246
Statut RoHS
NO
PDF：
En stock
base.lang_mini : 1
Quantité
Prix
Prix total
1
$0.14
$0.14
10
$0.09
$0.9
100
$0.05
$5
500
$0.04
$20
1000
$0.03
$30
Statut de la pièce
Active
Type de montage
Surface Mount
Type de FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension Drain-Source (Vdss)
100 V
Vgs (Max)
±20V
FET Caractéristique
-
Grade
-
Qualification
-
Boîtier
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs
5Ohm @ 200mA, 10V
Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C
200mA (Ta)
Dissipation de puissance (Max)
350mW (Ta)
Tension de commande (Rds On max, Rds On min)
4.5V, 10V
Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs
1.8 nC @ 10 V
Fournisseur Dispositif Emballage
SOT-23
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
14 pF @ 50 V
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