BSS84
Numéro de pièce
BSS84
Classification des produits
FET simples, MOSFET
Fabricant
ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
Description
P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE
Encapsulation
Cut Tape (CT)
Emballage
Quantité
106953
Statut RoHS
NO
PDF：
En stock
base.lang_mini : 1
Quantité
Prix
Prix total
1
$0.19
$0.19
10
$0.11
$1.1
100
$0.07
$7
500
$0.05
$25
1000
$0.04
$40
Statut de la pièce
Active
Type de montage
Surface Mount
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)
±20V
FET Caractéristique
-
Grade
-
Qualification
-
Boîtier
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Type de FET
P-Channel
Tension Drain-Source (Vdss)
50 V
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C
130mA (Ta)
Tension de commande (Rds On max, Rds On min)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
8Ohm @ 150mA, 10V
Dissipation de puissance (Max)
225mW (Ta)
Fournisseur Dispositif Emballage
SOT-23
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
30 pF @ 30 V
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