CC-C2-B15-0322
Numéro de pièce
CC-C2-B15-0322
Classification des produits
FET simples, MOSFET
Fabricant
CoolCAD
Description
SiC Power MOSFET 1200V 12A
Encapsulation
Bulk
Emballage
Quantité
1605
Statut RoHS
NO
En stock
base.lang_mini : 5
Quantité
Prix
Prix total
5
$7.7
$38.5
10
$6.6
$66
100
$6.05
$605
Type de montage
Through Hole
Statut de la pièce
Active
Type de FET
N-Channel
FET Caractéristique
-
Dissipation de puissance (Max)
100W (Tc)
Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C
12A (Ta)
Température de fonctionnement
-40°C ~ 175°C (TJ)
Tension Drain-Source (Vdss)
1200 V
Fournisseur Dispositif Emballage
TO-247
Boîtier
TO-247-4
Tension de commande (Rds On max, Rds On min)
15V
Technologie
SiCFET (Silicon Carbide)
Vgs(th) (Max) @ Id
3.2V @ 5mA
Vgs (Max)
+15V, -5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
135mOhm @ 10A, 15V
Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs
40 nC @ 15 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
1810 pF @ 200 V
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