CC-CN-23-0123
Référence :
CC-CN-23-0123
Catégorie :
-
Fabricant :
Description :
SiC MOSFET 20A 1200V TO-247-3
Boîtier :
Conditionnement :
Bulk
Quantité :
15
Statut RoHS :
Pris en charge
PDF :
Stock
Quantité min. : 5
Qté
Prix
Total
5+
$7.7
$38.5
10+
$6.6
$66
100+
$6.05
$605
Type de montage
Through Hole
Statut de la pièce
Active
FET Caractéristique
-
Boîtier
TO-247-3
Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs
16 nC @ 5 V
Température de fonctionnement
-40°C ~ 175°C (TJ)
Fournisseur Dispositif Emballage
TO-247-3
Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C
20A (Ta)
Technologie
SiCFET (Silicon Carbide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
85mOhm @ 10A, 15V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.4V @ 5mA
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
810 pF @ 200 V
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