CGD65A055SH2
Numéro de pièce
CGD65A055SH2
Classification des produits
FET simples, MOSFET
Fabricant
Cambridge GaN Devices
Description
650V GAN HEMT, 55MOHM, DFN8X8. W
Encapsulation
Cut Tape (CT)
Emballage
Quantité
4720
Statut RoHS
NO
PDF：
En stock
base.lang_mini : 1
Quantité
Prix
Prix total
1
$13.86
$13.86
10
$9.66
$96.6
100
$8.38
$838
Statut de la pièce
Active
Type de montage
Surface Mount
Type de FET
N-Channel
FET Caractéristique
-
Grade
-
Qualification
-
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Dissipation de puissance (Max)
-
Tension Drain-Source (Vdss)
650 V
Tension de commande (Rds On max, Rds On min)
12V
Technologie
GaNFET (Gallium Nitride)
Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C
27A
Vgs (Max)
+20V, -1V
Fournisseur Dispositif Emballage
16-DFN (8x8)
Boîtier
16-PowerVDFN
Rds On (Max) @ Id, Vgs
77mOhm @ 2.2A, 12V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.2V @ 10mA
Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs
4 nC @ 12 V
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