CGD65A130SH2
Numéro de pièce
CGD65A130SH2
Classification des produits
FET simples, MOSFET
Fabricant
Cambridge GaN Devices
Description
650V GAN HEMT, 130MOHM, DFN8X8.
Encapsulation
Cut Tape (CT)
Emballage
Quantité
5013
Statut RoHS
NO
PDF：
En stock
base.lang_mini : 1
Quantité
Prix
Prix total
1
$8.31
$8.31
10
$5.63
$56.3
100
$4.27
$427
Statut de la pièce
Active
Type de montage
Surface Mount
Type de FET
N-Channel
FET Caractéristique
-
Grade
-
Qualification
-
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Dissipation de puissance (Max)
-
Tension Drain-Source (Vdss)
650 V
Tension de commande (Rds On max, Rds On min)
12V
Technologie
GaNFET (Gallium Nitride)
Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C
12A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
182mOhm @ 900mA, 12V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.2V @ 4.2mA
Vgs (Max)
+20V, -1V
Fournisseur Dispositif Emballage
16-DFN (8x8)
Boîtier
16-PowerVDFN
Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs
1.9 nC @ 12 V
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