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Accueil Centre de produits Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET simples, MOSFET
CGD65B130S2-T13
Numéro de pièce
CGD65B130S2-T13
Classification des produits
FET simples, MOSFET
Fabricant
Cambridge GaN Devices
Description
650V GAN HEMT, 130MOHM, DFN5X6.
Encapsulation
Cut Tape (CT)
Emballage
Quantité
6455
Statut RoHS
NO
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Demande de prix
En stock
base.lang_mini : 1
Quantité
Prix
Prix total
1
$7.95
$7.95
10
$5.38
$53.8
100
$4.04
$404
Paramètres du produit
Statut de la pièce
Active
Type de montage
Surface Mount
Grade
-
Qualification
-
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C
12A (Tc)
Tension Drain-Source (Vdss)
650 V
Type de FET
-
Fournisseur Dispositif Emballage
8-DFN (5x6)
Boîtier
8-PowerVDFN
FET Caractéristique
Current Sensing
Technologie
GaNFET (Gallium Nitride)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
182mOhm @ 900mA, 12V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.2V @ 4.2mA
Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs
2.3 nC @ 12 V
Vgs (Max)
+20V, -1V
Tension de commande (Rds On max, Rds On min)
9V, 20V
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