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Accueil Centre de produits Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET simples, MOSFET
CGD65B200S2-T13
Numéro de pièce
CGD65B200S2-T13
Classification des produits
FET simples, MOSFET
Fabricant
Cambridge GaN Devices
Description
650V GAN HEMT, 200MOHM, DFN5X6.
Encapsulation
Cut Tape (CT)
Emballage
Quantité
5739
Statut RoHS
NO
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Demande de prix
En stock
base.lang_mini : 1
Quantité
Prix
Prix total
1
$6.15
$6.15
10
$4.1
$41
100
$2.94
$294
500
$2.86
$1430
Paramètres du produit
Statut de la pièce
Active
Type de montage
Surface Mount
Grade
-
Qualification
-
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tension Drain-Source (Vdss)
650 V
Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C
8.5A (Tc)
Type de FET
-
Fournisseur Dispositif Emballage
8-DFN (5x6)
Boîtier
8-PowerVDFN
FET Caractéristique
Current Sensing
Technologie
GaNFET (Gallium Nitride)
Vgs (Max)
+20V, -1V
Tension de commande (Rds On max, Rds On min)
9V, 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
280mOhm @ 600mA, 12V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.2V @ 2.75mA
Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs
1.4 nC @ 12 V
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