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Accueil Centre de produits Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET simples, MOSFET
CGD65B240SH2
Numéro de pièce
CGD65B240SH2
Classification des produits
FET simples, MOSFET
Fabricant
Cambridge GaN Devices
Description
650V GAN HEMT, 240MOHM, DFN5X6.
Encapsulation
Cut Tape (CT)
Emballage
Quantité
6255
Statut RoHS
NO
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Demande de prix
En stock
base.lang_mini : 1
Quantité
Prix
Prix total
1
$5.93
$5.93
10
$3.95
$39.5
100
$2.83
$283
500
$2.73
$1365
Paramètres du produit
Statut de la pièce
Active
Type de montage
Surface Mount
Type de FET
N-Channel
FET Caractéristique
-
Grade
-
Qualification
-
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Dissipation de puissance (Max)
-
Tension Drain-Source (Vdss)
650 V
Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C
7A
Fournisseur Dispositif Emballage
8-DFN (5x6)
Boîtier
8-PowerVDFN
Tension de commande (Rds On max, Rds On min)
12V
Technologie
GaNFET (Gallium Nitride)
Vgs (Max)
+20V, -1V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
336mOhm @ 500mA, 12V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.2V @ 2.3mA
Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs
1.2 nC @ 12 V
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