CP361R-CEDM7001-CT
Numéro de pièce
CP361R-CEDM7001-CT
Classification des produits
FET simples, MOSFET
Fabricant
AEM Central Semiconductor
Description
100mA,20V Bare die,14.173 X 14.1
Encapsulation
Tray
Emballage
Quantité
52145
Statut RoHS
NO
Partagez
PDF:
En stock
base.lang_mini : 400
Quantité
Prix
Prix total
400
$1.43
$572
Statut de la pièce
Active
Type de montage
Surface Mount
Type de FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
FET Caractéristique
-
Grade
-
Qualification
-
Dissipation de puissance (Max)
-
Température de fonctionnement
-65°C ~ 150°C (TJ)
Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C
100mA (Ta)
Tension Drain-Source (Vdss)
20 V
Boîtier
Die
Fournisseur Dispositif Emballage
Die
Vgs(th) (Max) @ Id
900mV @ 250µA
Vgs (Max)
10V
Tension de commande (Rds On max, Rds On min)
1.5V, 4V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3Ohm @ 10mA, 4V
Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs
566 pC @ 4.5 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
4 pF @ 3 V
Les derniers produits
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 5.6A TO220AB
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 4A TO220AB
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 200V 560MA 4DIP
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 8A TO220AB
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 1A 4DIP
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 600MA 4DIP
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 600MA 4DIP
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 700MA 4DIP